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Der südkoreanische Elektronikkonzern Samsung produziert jetzt Arbeitsspeichermodule mit einer Kapazität von 128 Gigabyte. Um dies zu erreichen, greift das Unternehmen auch bei den RAM-Chips auf eine Stapelung mehrerer Layer zurück, wie sie schon bei Flash angewandt wird. Auf dem Speicherriegel befinden sich so im Grunde 144 einzelne Chips, die auf der DDR4-Architektur basieren und in einem 20-Nanometer-Prozess hergestellt werden. Die Chips sind dabei in 36 Packages unterteilt, von denen in jedem vier 8-Gigabit-Speichereinheiten aufeinandergestapelt sind.

Die Verbindung der einzelnen Layer untereinander wird hier auf Grundlage der Through Silicon Vias (TSV)-Technologie realisiert. Dabei werden hunderte nur wenige Mikrometer starke Leitungen direkt durch kleinste Löcher im Silizium geführt. Dadurch werden die Wege kürzer gehalten und eine bessere Signalübertragung gewährleistet, hieß es.

Zusätzlich zu der hohen Speicherkapazität verfügen Samsungs 128GB-TSV-DDR4-Module über ein spezielles Design, bei dem der Master-Chip jedes Package eine Datenpufferfunktion ausführt, um die Leistungsfähigkeit und den Energieverbrauch des Moduls zu optimieren.

Die neuen Arbeitsspeichermodule sind allerdings noch nicht für den Einbau in normale PCs gedacht, sondern sollen erst einmal in Servern zum Einsatz kommen. Hier bieten sie den Hardware-Entwicklern eine Bandbreite von bis zu 2.400 Megabit pro Sekunde, wobei der Energiebedarf um rund 50 Prozent geringer ausfällt als bei einer entsprechenden Konfiguration mit den bisher verfügbaren Riegeln.

Auf Grundlage des jetzt eingesetzten DIMM-Designs sollen in der nächsten Zeit auch noch weitere Produkte auf den Markt kommen. Vor allem will Samsung demnächst auch entsprechende Module liefern können, die Übertragungsraten von bis zu 3.200 Megabit pro Sekunde ermöglichen. Die Packages sollen außerdem auch auf anderen Modulen zum Einsatz kommen.

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